型号名称
HYGD129紫外增强型硅探测器
HYGD130普及性硅探测器
感光面积
100(10×10)mm²
波长使用范围
190-1100nm
300-1100nm
峰值波长
960nm
800±20nm
峰值波长响应度
0.5A/W
>0.4A/W
200nm的响应度
0.1-0.12A/W
……
响应时间
3μs
工作温度范围
-20~+60℃
储存温度范围
-20~+80℃
分流电阻
200(>50)MΩ
等效噪声功率NWP
1.8×10-14W/Hz
暗电流(25℃;-1V)
2×10-10 A
1×10-8 -5×10-11 A
结电容
1100pf(VR =0V,f=10KHz)
<3000pf(-10V)